采集仪对振弦传感器激励：也称为“激振”，是振弦类传感器频率数据获取的必须过程，仅当传感器收 到合适的激励信号后才能产生自振，而仅当振弦传感器产生自振后才能输出频率信号，进一步的，读数电路会检测并读取振弦传感器的自振信号，才能通过计算得到 振动频率值。振弦传感器的激励信号（能够使传感器产生自振的外部信号）一般分 为两类，一类为高压短促脉冲，一类为特定频率的多组连续低压脉冲信号。

高压脉冲激励：使用较高电压（100~200V）向振弦传感器线圈发送短促脉冲，使任意频率的振弦传感器产生自振的过程或方法。

低压扫频激励：使用与传感器自振频率相当（接近）的频率向振弦传感器发送连续 的低压（3~10V）脉冲信号，使传感器产生自振的过程或方法。

VH501TC 提供多种振弦传感器激励方法，以最大限度兼容更多型号的振弦传感器。 振弦传感器激励方法参数位于实时数据窗口右侧，共有 5 种方法可选，分别用MODTH0~MODTH4 表示。各种方法说明如下：

激励电压数据在屏幕上显示为 xxx/xxx 的形式，其中前面的数字表示实际的激励电压，后面的数字表示激励电压源电压 VSEN。 高压脉冲激励和低压扫频激励方法所使用的电源均来自于 VSEN，相对来说，使用比较高的 VSEN 时能得到更好的传感器信号，但有些传感器必须使用比较低的 VSEN 电压才会得到稳定的频率数据。VH501TC 有两个版本， 当需要修改激励方法或者激励电压源时， 若设备背面有两个旋转开关，则直接旋转开关即可； 若没有旋转开关时需要用上述操作按键的方法进行参数修改。 激励方法旋转开关的档位含义与上表相同， 激励电压旋转开关的档位 0~15 表示设置 VSEN 为 0~15V（前 5 档固定为 5V）。

注意： 建议 VSEN 的电压不要超过 12V， 推荐设置为 5~8V。 如果 VSEN 电压设置太高， 测量某些小阻值（小于 200 欧姆） 传感器时会有传感器或者设备损坏的危险。在使用过程中，应注意观察显示于屏幕中的振弦信号质量值，针对某类或者某些传感器，不同的激励方法对信号质量影响会很大，激励方法的切换和使用应以信号质量最高为选取标准。

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